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反鐵磁二維材料之介面磁耦合現象

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【本篇報導由物理學系  林文欽教授研究團隊提供】

  在此實驗研究中,Co-薄膜沉積在FePS3二維反鐵磁材料上,用於研究其介面磁耦合現象;這對於未來自旋電子元件之應用至關重要。在原子力顯微鏡觀察下,機械剝離的FePS3表面由±1單層高度內的缺陷組成。Co薄膜均勻地覆蓋在FePS3基底上,其表面粗糙度約在±0.5nm以內。2 nm-Pd/7 nm-Co/FePS3在表面表現出各向同性的磁行為。當溫度從85K升高到110–120K時,其矯頑力急劇下降。此結果意指當接近FePS3的尼爾相變溫度110–120K時,Co和FePS3之間的介面磁耦合也產生劇烈變化。即使在高達200°C的退火後,Co/FePS3的介面磁耦合現象也很穩定。此外,測量其X-射線磁圓二色性證實了FePS3表面Fe的凈磁矩存在,其方向平行於Co磁化方向。介面的Fe磁矩扮演於「垂直反鐵磁性FePS3」與「平面鐵磁Co薄膜」之間的重要磁耦合作用。 


 

圖一:樣品結構示意圖:Pd/Co雙層奈米薄膜蒸鍍在機械剝離的FePS3基底之上。
圖一:樣品結構示意圖:Pd/Co雙層奈米薄膜蒸鍍在機械剝離的FePS3基底之上。

 

  此研究樣品的分層結構示意如圖一。透過電子束加熱蒸鍍法,我們將Pd/Co雙層奈米薄膜蒸鍍於機械剝離的FePS3塊材基底表面上。希望藉由此異質結構樣品的磁性分析,了解傳統金屬鐵磁材料Co是否能與新穎反鐵磁二維材料FePS3產生介面磁耦合現象。尤其Co薄膜是水平磁化,與FePS3的垂直反鐵磁矩相夾90度,其介面磁耦合行為更是令人好奇。

 

圖二:(a)機械剝離的FePS3表面:由AFM原子力顯微鏡量測的具有線輪廓的光學影像和表面形貌。左下圖顯示從剝離的FePS3表面測量的拉曼光譜數據。(b)具有線輪廓的Pd/Co/FePS3異質結構的表面形貌圖像。
圖二:(a)機械剝離的FePS3表面:由AFM原子力顯微鏡量測的具有線輪廓的光學影像和表面形貌。左下圖顯示從剝離的FePS3表面測量的拉曼光譜數據。(b)具有線輪廓的Pd/Co/FePS3異質結構的表面形貌圖像。

 

  此異質結構樣品的相關量測確認結果如圖二。拉曼光譜顯示FePS3的特徵峰值,機械剝離的FePS3表面起伏約在±1奈米之間,表面有約1奈米落差的空洞缺陷。覆蓋Pd/Co雙層薄膜之後,表面形貌變得更為平整,起伏約在±0.5奈米以內。這些數據顯示了Pd/Co/FePS3異質結構樣品的介面幾乎是原子等級的平整度,而原本機械剝離的FePS3表面空洞缺陷也被後來覆蓋的Pd/Co雙層薄膜填得更平整。這些介面上的Co與FePS3缺陷直接接觸,進而產生磁耦合,對整個集體磁性行為扮演關鍵性的角色。

 
圖三:(a)在溫度300 K透過磁光克爾效應隨平面內方位角旋轉,所測量2 nm Pd/7 nm Co/FePS3的磁滯曲線。
(b)將(a)圖中磁矯頑力(Hc)數據總結繪製於極坐標圖,此結果顯示各向同性的磁行為。
(c)2 nm Pd/7 nm Co/FePS3的磁滯曲線,於85K至300K的溫度區間所測量之數據。
(d)總結從(c)推導出的Hc值,繪製為隨測量溫度變化的趨勢數據。 

 

  Pd/Co/FePS3異質結構隨水平旋轉角、溫度變化所量測得到的磁滯曲線原始數據如圖三。其分析結果顯示磁易軸位於薄膜水平面,而且各向同性的磁行為。磁矯頑力(Hc)在110-120K溫度區間有很明顯地變化。隨溫度下降,Hc 在此區間增加了近1倍的數值,這遠高於原本降溫應有的效應,也明顯反映了,在此溫度區間以下,FePS3由順磁性轉變為穩定的反鐵磁性,並且與Co覆蓋層產生耦合作用,因此大幅增進其矯頑磁場。

  總結來說,這項實驗研究成功地證明了,在「金屬鐵磁層/二維反鐵磁材料」異質結構中的介面磁耦合作用的存在,將能夠對於未來應用二維材料於自旋電子元件提供重要的貢獻。

 

 

原文出處:
Dhanarajgopal, A., Chang, P. C., Liu, S. Y., Chuang, T. H., Wei, D. H., Kuo, C. C., Kuo, C. N., Lue, C. S., & Lin, W. C.(2021).Interfacial magnetic coupling in Co/antiferromagnetic van der Waals compound FePS3. Applied Surface Science,567, [150864].https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.150864

林文欽 教授 | 物理學系

國立臺灣師範大學物理學系教授兼系主任,研究專長為磁物理、表面物理相關領域。近年專注於可逆氫化磁性材料與新穎二維材料之物理特性、自旋電子元件製作分析之研究主題。